jueves, 18 de enero de 2018

Comportamiento eléctrico del nanotubo de carbono dependiente de la pureza y de la distancia entre contactos

Para la electrónica, los nanotubos de carbono requieren estar libres de impurezas para aumentar su utilidad en dispositivos nanométricos, el uso de dichos dispositivos como semiconductores dependerá de la posición de los contactos, según científicos del Instituto de Investigación en Seguridad Energética (Energy Security Research Institute) de la Universidad de Swansea en colaboración con investigadores de la Universidad de Rice.

Este grupo demostró que al bombardear nanotubos de carbono de pared múltiple a 500 ºC con iones de argón, se redujeron las impurezas en la superficie de los nanotubos, de tal manera que las curvas I-V de los nanotubos de pared múltiple fueron reproducibles. Además, demostraron que su resistividad fue dependiente de la longitud entre contactos.

La noticia fue recientemente publicada en Nano Letters

Más información puede ser encontrada en Phys.org

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